Semiconductor terminology glossary

導電能力介於導體與絕緣體之間、且可被摻雜或電壓控制的材料；矽是目前最主流的半導體材料。

由單晶矽晶柱切成的圓形薄片，是晶片製造的基板；常見尺寸為 8 吋（200mm）與 12 吋（300mm）。

晶圓切割後的單一晶片本體，封裝前的型態；一片晶圓可切出數百到數千顆晶粒。

可由電壓控制電流通斷的半導體開關，數位電路的基本單元；一顆現代高階晶片可整合數百億顆。

在純矽中加入微量雜質原子（如硼、磷）以改變導電特性的製程，是半導體「可被控制」的根源。

積體電路可容納的電晶體數約每兩年增加一倍的經驗法則，驅動產業微縮數十年；如今逼近物理極限，由先進封裝等路線接棒。

標示製程世代的名稱（如 5nm、3nm）；FinFET 世代之後節點數字已不對應實際尺寸，比較時應看電晶體密度與 PPA。

衡量製程或晶片設計優劣的三大指標：功耗、效能、面積。新節點的進步以三者綜合改善來評估。

一片晶圓上功能正常晶粒的比例，直接決定製造成本；量測、檢測與測試共同守住良率。

在晶圓上製作電晶體本體的製程階段，決定晶片的運算能力。

以多層金屬連線把數十億顆電晶體連接成電路的製程階段。

在晶圓表面鍍上一層極薄材料的製程，常見方法有化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）與原子層沉積（ALD）。

把不需要的材料移除、將圖案刻進晶圓的製程；分電漿乾蝕刻與化學溶液濕蝕刻。

以化學漿料搭配機械研磨把晶圓表面磨平的製程，讓多層結構能持續往上堆疊。

對特定波長光敏感的高分子塗層；曝光後改變溶解度，把光罩上的電路圖案轉印到晶圓上。

製程中用於沉積、蝕刻、清洗與摻雜的高純度氣體，純度要求常達 99.999% 以上。

能隙比矽更寬的半導體材料（如 SiC、GaN），耐高壓高溫，是功率半導體的新主流。

寬能隙材料，適合高壓大功率場景；電動車主驅與充電基礎設施的功率元件主力。

寬能隙材料，以高頻切換見長；用於快充、資料中心電源與射頻通訊。

用光把電路圖案「印」到晶圓上的核心製程，決定線路能做到多細。

刻有電路圖案的石英基板，曝光時扮演「底片」的角色；一組先進製程晶片需要數十張光罩。

波長 248／193 奈米的曝光光源，成熟與中階製程的主力；193 奈米搭配浸潤式技術曾長期撐起微縮。

波長 13.5 奈米的曝光技術，7nm 以下先進製程的關鍵；全球僅 ASML 能量產 EUV 微影機。

用多次曝光與蝕刻疊出超越單次曝光解析度極限的圖案，是 EUV 普及前延續微縮的主要手段。

現代晶片最主要的電晶體結構，以閘極電壓控制通道的導通與關閉。

通道立起來像魚鰭的 3D 電晶體結構，改善漏電問題；16／14nm 世代起成為主流。

閘極四面包覆通道的新世代電晶體結構，控制力更強；3nm／2nm 世代起逐步取代 FinFET。

高速、揮發性的工作記憶體，斷電後資料消失；以一個電晶體加一個電容儲存一個位元。

非揮發性儲存記憶體，斷電後資料保留，是 SSD 固態硬碟的核心；現代 NAND 以 3D 堆疊數百層提高容量。

多層 DRAM 晶粒垂直堆疊、以矽穿孔連通、與運算晶片緊鄰封裝的記憶體；AI 加速器的關鍵零件。

運算速度遠快於資料搬運速度所形成的系統瓶頸；HBM 與先進封裝是當前的主要解法。

把多顆晶粒高密度整合在同一封裝內的技術總稱（如 CoWoS、SoIC），是後摩爾時代效能提升的主要路線。

把大晶片拆成多顆小晶粒分開製造、再以先進封裝整合的設計方式，可改善良率並混用不同製程。

台積電的 2.5D 先進封裝技術，把 GPU 與 HBM 並排放在矽中介層上；AI 晶片供應鏈的關鍵產能。

貫穿晶粒的垂直導通孔，讓晶粒可以上下直接通訊，是 3D 堆疊與 HBM 的關鍵技術。

晶圓切割前以探針卡逐顆測試晶粒、淘汰不良品的關卡，避免壞品進入昂貴的封裝流程。

封裝後驗證成品功能、速度與耐受度的關卡，並依表現分級決定售價。

依測試表現把同一批晶片分成不同速度或功耗等級、標不同售價的做法。

對晶片施加測試訊號並比對回應的專用機台，代表廠商為愛德萬（Advantest）與泰瑞達（Teradyne）。

封裝前已確認功能正常的晶粒；多晶粒先進封裝中任何一顆壞品都會報廢整包，KGD 因此越來越關鍵。

以高溫高壓加速元件早期失效，把「上市後才會壞」的晶片提前淘汰；車用與資料中心晶片的必經關卡。

設計晶片所用的軟體工具鏈，涵蓋從行為描述、合成、布局繞線到驗證的完整流程。

可重複使用的電路模組授權（如 Arm 的 CPU 核心），讓設計公司不必從零開始造輪子。

以硬體描述語言（如 Verilog）撰寫的晶片行為描述，是設計流程的起點。

設計完成、把最終圖檔（GDSII）交付晶圓廠製造的里程碑；之後修改的代價極高。

設計與製造垂直整合的半導體公司，如 Intel、三星、美光。

只設計、不自建晶圓廠的 IC 公司，把製造委託給代工廠，如 NVIDIA、聯發科。

專門接受委託製造晶片的公司，如台積電、聯電；台灣在此環節居全球領導地位。

提供專業封裝與測試服務的公司，如日月光、京元電子。

政府限制特定技術或產品輸出的政策工具；近年聚焦先進製程設備與高階 AI 晶片。

美國商務部的出口管制名單；列名企業取得美國技術與零組件需事前取得特別許可。

美國 2022 年通過的半導體補貼法案，以巨額補貼與租稅優惠吸引製造與研發回流本土。

把關鍵產能移回本土或盟友地區以降低地緣風險的趨勢；台積電赴美日設廠是代表案例。